具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法

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专利状态

具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-10

申请公布

2021-04-09

授权

2023-10-17

预估到期

2040-11-10

专利基础信息

申请号	CN202080003480.0	申请日	2020-11-10
申请公布号	CN112640103A	申请公布日	2021-04-09
授权公布号	CN112640103B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H10B43/27;H10B43/30
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2021-04-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11582；申请日:20201110
2021-04-09

公布

状态信息

公布

摘要

三维（3D）存储器器件包括存储器叠层和沿着垂直方向穿过存储器叠层延伸的沟道结构，存储器叠层包括导电层和与导电层交错的电介质层。沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向导电层的多个突出部分，以及分别面向电介质层而不沿着横向方向突出的多个正常部分。沟道结构包括分别在突出部分中的多个阻挡结构，以及分别在突出部分中并在多个阻挡结构之上的多个存储结构。阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在阻挡结构之上的存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。

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