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专利状态
三维存储器及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-16
申请公布
2020-06-26
授权
2023-08-08
预估到期
2040-03-16
专利基础信息
申请号
CN202010183022.1
申请日
2020-03-16
申请公布号
CN111341784A
申请公布日
2020-06-26
授权公布号
CN111341784B
授权公告日
2023-08-08
分类号
H10B43/30;H10B43/27;H10B43/50;H10B41/27;H10B41/30;H10B41/50
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-08
授权
状态信息
授权
2020-07-21
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11563;申请日:20200316
2020-06-26
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种三维存储器及其制作方法,属于半导体存储技术领域,旨在如何降低公共源线与叠层结构中的栅极层之间的耦合电容。所述三维存储器包括衬底、设置在衬底上的叠层结构,以及贯穿叠层结构的沟道孔和栅极缝隙;沟道孔内设置有沟道结构,沟道结构的一端延伸至衬底;栅极缝隙内设置有阻隔层和位于阻隔层内的公共源线,公共源线包括支撑层和位于支撑层内的导电芯,导电芯的一端贯穿叠层结构并延伸至衬底,并与沟道结构延伸至衬底的一端电性连接。本发明提供的三维存储器及其制作方法,其能够增大了导电芯与叠层结构中栅极层之间的距离,降低了导电芯与栅极层之间的耦合电容,从而提高三维存储器的读取及擦除速率。
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