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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-02
申请公布
2020-05-19
授权
2023-09-26
预估到期
2040-01-02
专利基础信息
申请号
CN202010000784.3
申请日
2020-01-02
申请公布号
CN111180457A
申请公布日
2020-05-19
授权公布号
CN111180457B
授权公告日
2023-09-26
分类号
H10B41/27;H10B41/35;H10B43/35;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-26
授权
状态信息
授权
2020-06-12
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11556;申请日:20200102
2020-05-19
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:衬底;位于衬底上的栅叠层结构,栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层;以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱,其中,在各个沟道柱的底部具有外延层,外延层的第一部分具有与沟道柱接触的沟槽,外延层的第二部分位于第一部分与衬底之间,第一部分的蚀刻速率小于硅的蚀刻速率。在该3D存储器件中,蚀刻剂对第一部分的蚀刻速率较小,可以避免在形成沟道柱的蚀刻工艺中对外延层造成损伤,从而提高3D存储器件的良率和可靠性。
更多专利
1
三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备
2
掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法
3
半导体器件、系统及其形成方法
4
晶圆处理装置及方法
5
三维存储器结构及其制备方法
6
混合晶圆键合方法及其结构
7
用于裸片对裸片进行键合的方法和结构
8
半导体结构及其制备方法
9
三维存储器的制造方法及三维存储器
10
键合界面缺陷检测方法及装置
11
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
12
三维存储装置及其形成方法
13
光刻胶去除装置及方法
14
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
15
具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法
16
一种晶元的检测方法和装置、电子设备、存储介质
17
三维存储器及其制造方法
18
一种透射电镜的检验方法
19
叠加式主板固定装置以及主机组件
20
三维存储器
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