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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-02
申请公布
2020-05-19
授权
2023-09-26
预估到期
2040-01-02
专利基础信息
申请号 CN202010000784.3 申请日 2020-01-02
申请公布号 CN111180457A 申请公布日 2020-05-19
授权公布号 CN111180457B 授权公告日 2023-09-26
分类号 H10B41/27;H10B41/35;H10B43/35;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-09-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-06-12
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11556;申请日:20200102
  • 2020-05-19
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:衬底;位于衬底上的栅叠层结构,栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层;以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱,其中,在各个沟道柱的底部具有外延层,外延层的第一部分具有与沟道柱接触的沟槽,外延层的第二部分位于第一部分与衬底之间,第一部分的蚀刻速率小于硅的蚀刻速率。在该3D存储器件中,蚀刻剂对第一部分的蚀刻速率较小,可以避免在形成沟道柱的蚀刻工艺中对外延层造成损伤,从而提高3D存储器件的良率和可靠性。