堆叠结构及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法

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专利状态

堆叠结构及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-10

申请公布

2020-12-11

授权

2023-09-05

预估到期

2040-08-10

专利基础信息

申请号	CN202010793736.4	申请日	2020-08-10
申请公布号	CN112071851A	申请公布日	2020-12-11
授权公布号	CN112071851B	授权公告日	2023-09-05
分类号	H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-05

授权

状态信息

授权
2020-12-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20200810
2020-12-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种堆叠结构及其制造方法、3D NAND存储器及其制造方法，在衬底上形成底部叠层，在底部叠层中形成阻挡环，在底部叠层上方形成堆叠结构，在堆叠结构中形成沿堆叠方向贯穿堆叠结构的桥接柱，该桥接柱的底部由阻挡环环绕。在形成栅线缝隙以及栅线缝隙底部开口时，该阻挡环能够有效保护阻挡环之外的其余底部叠层不被破坏，由此在后续通过栅线缝隙去除底部叠层中的源极牺牲层过程中，能够有效保留底部叠层的其余材料层，对堆叠结构起到支撑作用，减少堆叠结构的坍塌风险，提高器件的成品率及良率。另外，可以在形成焊盘接触以及通孔接触的零沟槽时同时形成上述阻挡环，无需增加工艺步骤，不会增加工艺成本。

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