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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-26

申请公布

2019-06-25

授权

2023-08-08

预估到期

2039-03-26

专利基础信息

申请号	CN201910233011.7	申请日	2019-03-26
申请公布号	CN109935594A	申请公布日	2019-06-25
授权公布号	CN109935594B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H10B43/27;H10B41/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2019-07-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11556；申请日:20190326
2019-06-25

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底接触；导电通道，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底接触；绝缘层，围绕导电通道，并将导电通道与多个栅极导体层彼此隔开；以及阻挡层，阻挡层位于栅极导体层与绝缘层之间，以将栅极导体层与绝缘层隔离。该3D存储器件采用阻挡层封闭栅极导体层的端部，从而可以避免残留的前驱气体破坏绝缘层导致栅极导体与导电通道短接。

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