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专利状态

三维存储器

有效

专利申请进度

申请

2018-09-25

申请公布

2018-12-04

授权

2023-09-08

预估到期

2038-09-25

专利基础信息

申请号	CN201811113446.X	申请日	2018-09-25
申请公布号	CN108933145A	申请公布日	2018-12-04
授权公布号	CN108933145B	授权公告日	2023-09-08
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-09-08

授权

状态信息

授权
2018-12-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180925
2018-12-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞，位于所述沟道孔内，所述NAND串的顶部与所述沟道孔插塞电连接，所述沟道孔插塞的材料与所述栅极层的材料相同。本发明简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本，并有助于改善三维存储器的性能。

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