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专利状态
高压器件与半导体器件
有效
专利申请进度
申请
2018-09-12
申请公布
2018-12-07
授权
2024-01-02
预估到期
2038-09-12
专利基础信息
申请号 CN201811062252.1 申请日 2018-09-12
申请公布号 CN108962979A 申请公布日 2018-12-07
授权公布号 CN108962979B 授权公告日 2024-01-02
分类号 H01L29/08;H10B41/41;H10B41/20;H10B43/40;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
  • 2024-01-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-01-01
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/08;申请日:20180912
  • 2018-12-07
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种高压器件与半导体器件,该高压器件半导体衬底;氧化层;栅极,位于氧化层上;以及源区与漏区,位于半导体衬底中,并分别位于栅极两侧,其中,漏区的掺杂深度由漏区的中心向边缘递减。通过掺杂深度由中心向边缘递减的漏区,减小了漏区边缘的电场,从而提高了器件的耐高电压性能。