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专利状态
半导体器件及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2018-05-31
申请公布
2018-10-19
授权
2023-12-12
预估到期
2038-05-31
专利基础信息
申请号
CN201810550170.5
申请日
2018-05-31
申请公布号
CN108682685A
申请公布日
2018-10-19
授权公布号
CN108682685B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2018-10-19
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,该器件包括:衬底,具有沟道区;MOS晶体管,包括位于所述沟道区之上的栅极;在所述栅极的长度方向上位于所述沟道区两侧的第一隔离结构和第二隔离结构,所述第一隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第一凸部,所述第二隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第二凸部。与现有技术相比,本发明沟道边缘形成了凹槽,绝缘层在凹槽处对应地形成了凸起,使得沟道边缘与栅极之间的绝缘材料的厚度增加。这样的结构使沟道边缘位置的阈值电压增加,与边缘电场引起阈值电压降低的效果相抵消,进而改善了MOS器件的反窄沟道效应。
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