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专利状态
用于在三维存储器件中形成台阶的方法
有效
专利申请进度
申请
2021-01-13
申请公布
2021-06-01
授权
2024-01-30
预估到期
2041-01-13
专利基础信息
申请号 CN202180000260.7 申请日 2021-01-13
申请公布号 CN112889152A 申请公布日 2021-06-01
授权公布号 CN112889152B 授权公告日 2024-01-30
分类号 H10B43/27;H10B43/35;H10B43/50;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/50
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2024-01-30
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-06-18
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/115;申请日:20210113
  • 2021-06-01
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本公开提供了一种用于形成三维(3D)存储器的方法。在示例中,该方法包括:形成具有交错的多个堆叠第一层和多个堆叠第二层的堆叠结构;在堆叠结构中形成台阶,该台阶具有顶表面上的堆叠第一层中的一个;以及形成牺牲材料层,该牺牲材料层具有台阶的侧表面之上的第一部分和台阶的顶表面之上的第二部分。该方法还包括使用各向异性蚀刻工艺部分地去除牺牲材料层的第一部分,以及使用各向同性蚀刻工艺去除牺牲材料层的第一部分的剩余部分。