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专利状态
用于在三维存储器件中形成台阶的方法
有效
专利申请进度
申请
2021-01-13
申请公布
2021-06-01
授权
2024-01-30
预估到期
2041-01-13
专利基础信息
申请号
CN202180000260.7
申请日
2021-01-13
申请公布号
CN112889152A
申请公布日
2021-06-01
授权公布号
CN112889152B
授权公告日
2024-01-30
分类号
H10B43/27;H10B43/35;H10B43/50;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/50
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-01-30
授权
状态信息
授权
2021-06-18
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/115;申请日:20210113
2021-06-01
公布
状态信息
公布
摘要
本公开提供了一种用于形成三维(3D)存储器的方法。在示例中,该方法包括:形成具有交错的多个堆叠第一层和多个堆叠第二层的堆叠结构;在堆叠结构中形成台阶,该台阶具有顶表面上的堆叠第一层中的一个;以及形成牺牲材料层,该牺牲材料层具有台阶的侧表面之上的第一部分和台阶的顶表面之上的第二部分。该方法还包括使用各向异性蚀刻工艺部分地去除牺牲材料层的第一部分,以及使用各向同性蚀刻工艺去除牺牲材料层的第一部分的剩余部分。
更多专利
1
存储结构、三维存储器及其制造方法
2
三维存储器的制作方法
3
一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板
4
3D存储器件及其制造方法
5
半导体器件和集成电路
6
半导体结构及其形成方法
7
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
8
一种晶元的检测方法和装置、电子设备、存储介质
9
半导体结构的制作方法以及半导体结构
10
3D存储器件及其制造方法
11
叠加式主板固定装置以及主机组件
12
半导体结构与其制作工艺
13
存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质
14
存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿
15
半导体器件结构及其制备方法
16
一种三维存储器的制造方法
17
两步L形选择性外延生长
18
薄膜的检测方法
19
一种相变存储器件及其制造方法、操作方法
20
3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法
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