三维存储器及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2021-05-06

申请公布

2021-08-03

授权

2023-08-18

预估到期

2041-05-06

专利基础信息

申请号	CN202110490067.8	申请日	2021-05-06
申请公布号	CN113206106A	申请公布日	2021-08-03
授权公布号	CN113206106B	授权公告日	2023-08-18
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-18

授权

状态信息

授权
2021-08-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20210506
2021-08-03

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和第一牺牲层的叠层结构；形成贯穿叠层结构的沟道孔并在沟道孔的侧壁上依次形成功能层和沟道层，以形成沟道结构；形成贯穿至少一个第一牺牲层的顶部选择栅切口；经由顶部选择栅切口，依次去除至少一个第一牺牲层和功能层的与至少一个第一牺牲层对应的部分，以形成选择栅极间隙；在选择栅极间隙内形成第二牺牲层；以及将叠层结构内的第一牺牲层和第二牺牲层置换为包括栅极阻挡层和导电层的栅极层。该三维存储器及其制备方法能够提高顶部选择晶体管的阈值电压的稳定性，并提高顶部选择晶体管的可靠性。

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