用于NAND存储器操作的架构和方法

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专利状态

用于NAND存储器操作的架构和方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-15

申请公布

2021-05-04

授权

2023-12-12

预估到期

2040-12-15

专利基础信息

申请号	CN202080003973.4	申请日	2020-12-15
申请公布号	CN112753073A	申请公布日	2021-05-04
授权公布号	CN112753073B	授权公告日	2023-12-12
分类号	G11C29/12;G11C29/38
分类	信息存储;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2021-05-04

公布

状态信息

公布

摘要

在一种用于读取包括第一存储单元串的存储器件的方法中，在预验证阶段内，在该第一存储单元串的选定的存储单元的栅极端子上施加第一验证电压，其中，该选定的存储单元被编程以及排列在第一相邻存储单元与第二相邻存储单元之间。在该第一存储单元串的未被编程的至少一个存储单元的栅极端子上施加第一偏置电压。在验证阶段内，在该第一存储单元串的选定的存储单元的栅极端子上施加第二验证电压。在该第一存储单元串的未被编程的所述至少一个存储单元的栅极端子上施加第二偏置电压，其中，第二偏置电压小于第一偏置电压。

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