半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-29

申请公布

2021-03-26

授权

2023-09-01

预估到期

2038-06-29

专利基础信息

申请号	CN201880096617.4	申请日	2018-06-29
申请公布号	CN112567512A	申请公布日	2021-03-26
授权公布号	CN112567512B	授权公告日	2023-09-01
分类号	H01L23/532
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-09-01

授权

状态信息

授权
2021-03-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层；位于所述第一粘附层表面的第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度。所述半导体结构的第一粘附层与所述第一基底以及第一键合层之间具有较高的粘附性，有利于提高半导体结构的性能。

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