用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法

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专利状态

用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-04

申请公布

2021-04-09

授权

2023-07-21

预估到期

2040-12-04

专利基础信息

申请号	CN202080003886.9	申请日	2020-12-04
申请公布号	CN112639978A	申请公布日	2021-04-09
授权公布号	CN112639978B	授权公告日	2023-07-21
分类号	G11C16/16;G11C16/20;G11C16/08
分类	信息存储;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2021-04-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C16/16；申请日:20201204
2021-04-09

公布

状态信息

公布

摘要

提出了用于擦除三维（3D）存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间，未选定的存储块的字线是浮动的，即没有外部偏置。在擦除操作之后，在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。

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