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专利状态

三维存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-28

申请公布

2020-11-20

授权

2023-10-27

预估到期

2040-08-28

专利基础信息

申请号	CN202010883424.2	申请日	2020-08-28
申请公布号	CN111968987A	申请公布日	2020-11-20
授权公布号	CN111968987B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2020-12-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20200828
2020-11-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括衬底、堆叠结构、沟道结构和虚设沟道结构。所述衬底定义核心区和台阶区。所述堆叠结构包括多个栅极层和多个绝缘层，其交替地堆叠在所述核心区上，且在所述台阶区上堆叠形成多个台阶。所述沟道结构布置在所述核心区上并穿过所述堆叠结构。所述虚设沟道结构布置在所述台阶区上且穿过所述堆叠结构，所述虚设沟道结构在所述衬底的延伸方向上的横截面包括相互重叠的第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形为圆或椭圆。

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