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专利状态

三维存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2021-08-26

申请公布

2021-12-10

授权

2024-02-27

预估到期

2041-08-26

专利基础信息

申请号	CN202110990859.1	申请日	2021-08-26
申请公布号	CN113782542A	申请公布日	2021-12-10
授权公布号	CN113782542B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2021-12-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20210826
2021-12-10

公布

状态信息

公布

摘要

本公开提供一种三维存储器的制造方法，包括：在衬底的第一表面形成延伸至衬底中的沟道柱；其中，沿沟道柱的径向，沟道柱包括：导电的沟道层以及围绕所述沟道层的绝缘的功能层；从衬底的第二表面去除衬底，以显露沟道柱的第一端部；其中，第二表面为衬底的第一表面的相反面；去除第一端部显露的功能层，以显露沟道层；其中，显露的沟道层被氧化形成氧化子层；形成覆盖氧化子层的第一导电层；在形成第一导电层后，对氧化子层进行第一离子注入，以破坏氧化子层的连续性；在进行第一离子注入后，对第一导电层和所述氧化子层进行热处理，以使沟道层与所述第一导电层电连接。

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