3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件

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专利状态

3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件

有效

专利申请进度

申请

2020-04-08

申请公布

2020-07-17

授权

2023-09-29

预估到期

2040-04-08

专利基础信息

申请号	CN202010268989.X	申请日	2020-04-08
申请公布号	CN111430360A	申请公布日	2020-07-17
授权公布号	CN111430360B	授权公告日	2023-09-29
分类号	H10B41/20;H10B41/41;H10B69/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-29

授权

状态信息

授权
2020-08-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11551；申请日:20200408
2020-07-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件，所述方法包括步骤：提供衬底；在衬底的正面上形成堆叠结构，并在堆叠结构中形成沟道孔；在沟道孔中形成导电沟道结构，导电沟道结构包括沟道层；对准沟道孔，从衬底的背面刻蚀衬底，得到通孔，且刻蚀停留在沟道层上；填充通孔，形成沟道层与衬底中阱区的电路回路。其中，在沟道孔中形成导电沟道结构后，从衬底的背面刻蚀并沉积以形成沟道层与衬底中阱区的电路回路，从而能有效避免从衬底的正面刻蚀时对导电沟道结构的损坏，提高了产品的电学性能和良率；不从衬底的正面刻蚀并沉积还能省掉牺牲硅层这一工序，对应的生产工序简单，生产效率提高且生产成本降低。

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