三维存储器设备的开口布局

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专利状态

三维存储器设备的开口布局

有效

专利申请进度

申请

2018-03-01

申请公布

2021-01-08

授权

2024-02-20

预估到期

2038-03-01

专利基础信息

申请号	CN202010840359.5	申请日	2018-03-01
申请公布号	CN112201661A	申请公布日	2021-01-08
授权公布号	CN112201661B	授权公告日	2024-02-20
分类号	H10B41/20;H10B41/35;H10B43/20;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-20

授权

状态信息

授权
2021-01-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11551；申请日:20180301
2021-01-08

公布

状态信息

公布

摘要

本公开涉及三维存储器设备的开口布局，并公开了半导体设备以及用于形成半导体设备的方法。用于形成设备开口的方法包括：在衬底（200）的第一区域（I）和第二区域（II）上形成材料层（600），该第一区域（I）邻近第二区域（II）；在材料层上（600）形成掩模层（500），该掩模层（500）覆盖第一区域（I）和第二区域（II）；以及在掩模层（500）上形成图案化层（101）。图案化层（101）覆盖第一区域（I）和第二区域（II）并且包括对应于第一区域（I）的开口。多个开口包括与第一区域（I）和第二区域（II）的交界相邻的第一开口（110）、以及离该交界较远的第二开口（120）。沿着与衬底（200）的顶面平行的平面，第一开口（110）的尺寸大于第二开口（120）的尺寸。

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