一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法

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专利状态

一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-02

申请公布

2020-05-19

授权

2023-09-01

预估到期

2040-01-02

专利基础信息

申请号	CN202010000494.9	申请日	2020-01-02
申请公布号	CN111180362A	申请公布日	2020-05-19
授权公布号	CN111180362B	授权公告日	2023-09-01
分类号	H01L21/67;H01L21/324
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-01

授权

状态信息

授权
2020-05-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其通过处理气体喷吹口、过流孔、晶圆三者的位置关系，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率。气体处理炉包括炉体，炉体内设置有容置晶舟的气体处理室。气体处理室内晶舟位置的一侧设置有多个喷吹口，多个喷吹口沿晶舟上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向多个晶圆；另一侧设置有沿晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，气体收集室朝向多个晶圆一侧的壁体上开设有将气体收集室与气体处理室相连通的多个过流孔，多个过流孔沿多个晶圆的堆叠方向排列；气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。

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