三维存储器结构及其制备方法

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专利状态

三维存储器结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2021-02-08

申请公布

2021-04-27

授权

2023-07-25

预估到期

2041-02-08

专利基础信息

申请号	CN202110171089.8	申请日	2021-02-08
申请公布号	CN112713154A	申请公布日	2021-04-27
授权公布号	CN112713154B	授权公告日	2023-07-25
分类号	H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-25

授权

状态信息

授权
2021-05-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11582；申请日:20210208
2021-04-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供定义有交界区的半导体衬底，在交界区形成预制凹槽并填充形成底部补偿结构，形成叠层结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的虚拟沟道孔结构，并填充形成应力缓冲结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的栅线分割槽，其中，栅线分割槽与应力缓冲结构间的交界面位于底部补偿结构对应的区域。本发明在栅线分割槽（GLC）与虚拟沟道孔结构（DCH）交界的地方预先制作底部补偿结构，可以基于底部补偿结构有效避免栅线分割槽尖角的问题，另外，基于底部补偿结构还可以进一步增大栅线分割槽与虚拟沟道孔结构结合的工艺窗口。

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