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专利状态
一种碳薄膜制作方法和设备
有效
专利申请进度
申请
2021-09-10
申请公布
2021-12-10
授权
2023-12-01
预估到期
2041-09-10
专利基础信息
申请号 CN202111062815.9 申请日 2021-09-10
申请公布号 CN113782421A 申请公布日 2021-12-10
授权公布号 CN113782421B 授权公告日 2023-12-01
分类号 H01L21/033;H01L21/67;H10B41/20;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-12-01
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-12-28
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/033;申请日:20210910
  • 2021-12-10
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种碳薄膜制作方法和设备,包括:提供碳薄膜,加热退火碳薄膜的第一区域。从而在加热退火的作用下,可以使得碳薄膜的第一区域由强应力的结构向低应力的结构转变,使得碳薄膜的应力微区分散化,得到了同时兼具高硬度和低应力的碳薄膜。