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专利状态
一种碳薄膜制作方法和设备
有效
专利申请进度
申请
2021-09-10
申请公布
2021-12-10
授权
2023-12-01
预估到期
2041-09-10
专利基础信息
申请号
CN202111062815.9
申请日
2021-09-10
申请公布号
CN113782421A
申请公布日
2021-12-10
授权公布号
CN113782421B
授权公告日
2023-12-01
分类号
H01L21/033;H01L21/67;H10B41/20;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-01
授权
状态信息
授权
2021-12-28
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/033;申请日:20210910
2021-12-10
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种碳薄膜制作方法和设备,包括:提供碳薄膜,加热退火碳薄膜的第一区域。从而在加热退火的作用下,可以使得碳薄膜的第一区域由强应力的结构向低应力的结构转变,使得碳薄膜的应力微区分散化,得到了同时兼具高硬度和低应力的碳薄膜。
更多专利
1
存储器、存储系统及电子设备
2
测试样品及其制备方法
3
键合界面缺陷检测方法及装置
4
三维存储器及其制造方法
5
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6
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7
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8
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9
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10
三维存储器及其制备方法
11
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12
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13
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14
制备和分析薄膜的方法
15
电路板和电子设备
16
三维存储器及其制作方法
17
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18
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19
半导体结构及其形成方法
20
三维存储器及其制备方法
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