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专利状态
薄膜的检测方法
有效
专利申请进度
申请
2021-11-25
申请公布
2022-03-22
授权
2023-12-22
预估到期
2041-11-25
专利基础信息
申请号
CN202111412733.2
申请日
2021-11-25
申请公布号
CN114216857A
申请公布日
2022-03-22
授权公布号
CN114216857B
授权公告日
2023-12-22
分类号
G01N21/17;G01B11/06
分类
测量;测试;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-22
授权
状态信息
授权
2022-03-22
公布
状态信息
公布
摘要
本申请实施例公开了一种薄膜的检测方法,包括:向待测薄膜的第一表面提供激光脉冲激发信号,以在待测薄膜中激发超声波;其中,待测薄膜包括相对的第一表面和第二表面;获取超声波在待测薄膜中传播的信号谱;根据信号谱,确定超声波的至少两个回波的回波参数;其中,至少两个回波为超声波经第二表面反射后回到第一表面的波,回波参数包括回波的信号幅值以及回波到达第一表面的回波到达时间;根据至少两个回波的回波参数,确定超声波在待测薄膜中传播的平均声速;根据平均声速和回波到达时间,确定待测薄膜的厚度。
更多专利
1
半导体结构的制作方法以及半导体结构
2
一种半导体器件的制备方法
3
半导体器件的制作方法
4
存储器的操作方法、存储器及存储系统
5
用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统
6
半导体结构及其形成方法
7
用于多管芯操作的动态峰值功率管理
8
三维存储器结构及其制备方法
9
半导体工艺以及半导体结构
10
一种3DNAND存储器件的制造方法
11
一种晶元的检测方法和装置、电子设备、存储介质
12
三维存储器的制作方法
13
三维存储器设备的开口布局
14
三维存储器件及其形成方法
15
半导体结构与其制作工艺
16
改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置
17
3D存储器件及其制造方法
18
三维存储器件及用于形成其的方法
19
光刻胶去除装置及方法
20
半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统
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