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专利状态
电压降的确定方法、确定装置和计算机可读存储介质
有效
专利申请进度
申请
2020-12-09
申请公布
2021-03-09
授权
2024-02-23
预估到期
2040-12-09
专利基础信息
申请号
CN202011432772.4
申请日
2020-12-09
申请公布号
CN112464598A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112464598B
授权公告日
2024-02-23
分类号
G06F30/3308;G06F30/392N
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-02-23
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F30/3308;申请日:20201209
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种电压降的确定方法、确定装置和计算机可读存储介质。该确定方法,包括:获取芯片的版图数据;获取芯片的设计参数,设计参数至少包括预定功耗值和工作电压;根据版图数据和设计参数,搭建芯片版图的脚本的运行环境;运行脚本的运行环境,得到芯片版图的至少部分区域中的各位置点的电压降。该确定方法,避免了现有技术中,获取电压降需要输入电路设计的仿真数据较多,操作较繁琐的问题,使得得到芯片版图的至少部分区域中的各位置点的电压降的流程比较简单,便于后续根据电压降分析芯片的布局问题。
更多专利
1
3D存储器件及其制造方法
2
薄膜的检测方法
3
三维存储器及其制备方法
4
半导体器件的制造方法
5
叠加式主板固定装置以及主机组件
6
一种3DNAND制作方法及存储器
7
三维存储器的制造方法及三维存储器
8
三维存储器及其制备方法
9
用于存储器的数据保护方法及其存储装置
10
晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
11
存储器结构
12
半导体器件及其制作方法
13
三维存储器件及其制作方法
14
三维存储器及其制造方法
15
三维存储器设备的开口布局
16
用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法
17
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
18
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
19
三维存储器及其制备方法
20
半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统
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