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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-29
申请公布
2019-03-29
授权
2023-08-11
预估到期
2038-10-29
专利基础信息
申请号
CN201811268224.5
申请日
2018-10-29
申请公布号
CN109545793A
申请公布日
2019-03-29
授权公布号
CN109545793B
授权公告日
2023-08-11
分类号
H10B43/35;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-08-11
授权
状态信息
授权
2019-04-23
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20181029
2019-03-29
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:半导体衬底;栅叠层结构,位于半导体衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构;隔离结构,贯穿栅叠层结构,用于分隔至少部分沟道柱;以及多个导电柱,贯穿隔离结构,并且沿第一方向设置在隔离结构中,每个导电柱用于通过半导体衬底向沟道柱供电,其中,第一方向包括隔离结构的长度方向。
更多专利
1
用于存储器系统的功率管理
2
3D存储器件及其制造方法
3
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
4
沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统
5
半导体器件及其制备方法
6
半导体器件的制作方法
7
用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统
8
三维存储器件及其形成方法
9
半导体工艺以及半导体结构
10
叠加式主板固定装置以及主机组件
11
三维存储器及其制造方法
12
气泡缺陷监控方法、装置、服务器及可读存储介质
13
三维存储器及其制作方法
14
三维存储器器件以及其制作方法
15
3D存储器件及其制造方法
16
半导体结构及其制备方法
17
存储器器件及其制造方法
18
两步L形选择性外延生长
19
一种3DNAND制作方法及存储器
20
半导体结构的形成方法
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