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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2018-10-29

申请公布

2019-03-29

授权

2023-08-11

预估到期

2038-10-29

专利基础信息

申请号	CN201811268224.5	申请日	2018-10-29
申请公布号	CN109545793A	申请公布日	2019-03-29
授权公布号	CN109545793B	授权公告日	2023-08-11
分类号	H10B43/35;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-08-11

授权

状态信息

授权
2019-04-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20181029
2019-03-29

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构；隔离结构，贯穿栅叠层结构，用于分隔至少部分沟道柱；以及多个导电柱，贯穿隔离结构，并且沿第一方向设置在隔离结构中，每个导电柱用于通过半导体衬底向沟道柱供电，其中，第一方向包括隔离结构的长度方向。

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