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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-29
申请公布
2019-03-29
授权
2023-08-11
预估到期
2038-10-29
专利基础信息
申请号 CN201811268224.5 申请日 2018-10-29
申请公布号 CN109545793A 申请公布日 2019-03-29
授权公布号 CN109545793B 授权公告日 2023-08-11
分类号 H10B43/35;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
  • 2023-08-11
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-04-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20181029
  • 2019-03-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:半导体衬底;栅叠层结构,位于半导体衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构;隔离结构,贯穿栅叠层结构,用于分隔至少部分沟道柱;以及多个导电柱,贯穿隔离结构,并且沿第一方向设置在隔离结构中,每个导电柱用于通过半导体衬底向沟道柱供电,其中,第一方向包括隔离结构的长度方向。