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专利状态
晶圆处理装置及方法
有效
专利申请进度
申请
2021-07-29
申请公布
2021-11-09
授权
2023-09-01
预估到期
2041-07-29
专利基础信息
申请号
CN202110861416.2
申请日
2021-07-29
申请公布号
CN113621945A
申请公布日
2021-11-09
授权公布号
CN113621945B
授权公告日
2023-09-01
分类号
H01L21/02
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-01
授权
状态信息
授权
2021-11-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种晶圆处理装置及方法。所述晶圆处理装置包括:处理腔室,用于容纳晶圆;第一进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第一气孔;第二进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第二气孔;第三进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第三气孔;所述第一气孔、所述第二气孔、所述第三气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。本发明能够有效改善晶圆的负载效应,提高晶圆的性能。
更多专利
1
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
2
多堆叠三维存储器件以及其形成方法
3
三维存储器及其制造方法
4
一种半导体器件的制备方法
5
存储器的操作方法、存储器及存储系统
6
半导体结构及其形成方法
7
一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板
8
3D存储器件及其制造方法
9
一种测试方法及装置
10
测试样品及其制备方法
11
竖直存储器件
12
一种3DNAND存储器及其制造方法
13
透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法
14
三维存储器件及其形成方法
15
半导体结构的制作方法以及半导体结构
16
三维存储器件及用于形成三维存储器件的方法
17
闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备
18
三维存储器的制作方法及三维存储器
19
样本密度分布的相似判定方法、装置、电子设备及存储介质
20
半导体器件及用于形成半导体器件的方法
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