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专利状态
晶圆处理装置及方法
有效
专利申请进度
申请
2021-07-29
申请公布
2021-11-09
授权
2023-09-01
预估到期
2041-07-29
专利基础信息
申请号
CN202110861416.2
申请日
2021-07-29
申请公布号
CN113621945A
申请公布日
2021-11-09
授权公布号
CN113621945B
授权公告日
2023-09-01
分类号
H01L21/02
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-01
授权
状态信息
授权
2021-11-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种晶圆处理装置及方法。所述晶圆处理装置包括:处理腔室,用于容纳晶圆;第一进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第一气孔;第二进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第二气孔;第三进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第三气孔;所述第一气孔、所述第二气孔、所述第三气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。本发明能够有效改善晶圆的负载效应,提高晶圆的性能。
更多专利
1
掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法
2
三维存储器结构及其制备方法
3
MOS晶体管及其制造方法与包含MOS晶体管的三维存储器
4
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
5
三维存储器件及其制造方法
6
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
7
一种测试方法及装置
8
一种三维存储器及其制作方法
9
晶圆切割固定方法及其装置
10
电路板和电子设备
11
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
12
晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统
13
一种三维存储器及其制备方法
14
三维存储装置及其制造方法
15
具有氢阻挡层的三维存储设备及其制造方法
16
厚度测量方法及装置
17
晶圆处理装置及方法
18
晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
19
三维存储器及其制备方法
20
堆叠结构及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法
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