三维存储器件及其制造方法

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专利状态

三维存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-09-26

申请公布

2021-02-02

授权

2023-12-19

预估到期

2039-09-26

专利基础信息

申请号	CN202011405101.9	申请日	2019-09-26
申请公布号	CN112310113A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112310113B	授权公告日	2023-12-19
分类号	H10B43/20;H10B43/30
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-19

授权

状态信息

授权
2021-02-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11578；申请日:20190926
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

提供了一种三维（3D）存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤。在衬底上形成交替的电介质堆叠层。形成开口，所述开口在衬底的厚度方向上穿透交替的电介质堆叠层。在开口的侧壁上形成阻隔层。在开口中形成捕获层，并且在阻隔层上形成捕获层。捕获层包括下部和设置在下部上方的上部。上部在水平方向上的厚度大于下部在水平方向上的厚度。修改捕获层的厚度分布以改善3D存储器件的电性能。

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