三维存储装置及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储装置及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2021-11-03

申请公布

2022-03-11

授权

2023-10-24

预估到期

2041-11-03

专利基础信息

申请号	CN202180003863.2	申请日	2021-11-03
申请公布号	CN114175253A	申请公布日	2022-03-11
授权公布号	CN114175253B	授权公告日	2023-10-24
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-24

授权

状态信息

授权
2022-03-11

公布

状态信息

公布

摘要

提供了三维（3D）NAND存储装置和方法。在一个方面中，一种制造方法包括形成层堆叠体、沟道孔、阻挡层、电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层。电荷陷阱层的表面区域包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素。

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