一种三维存储器及其制作方法

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专利状态

一种三维存储器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-10

申请公布

2021-03-09

授权

2023-09-05

预估到期

2040-11-10

专利基础信息

申请号	CN202011246529.3	申请日	2020-11-10
申请公布号	CN112466886A	申请公布日	2021-03-09
授权公布号	CN112466886B	授权公告日	2023-09-05
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-05

授权

状态信息

授权
2021-03-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20201110
2021-03-09

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底结构；形成垂直沟道结构及栅线缝隙于基底结构中；去除栅极牺牲层，得到多条栅极横向缝隙；形成导电层于栅极横向缝隙中；形成侧墙保护层于栅线缝隙的侧壁；去除底部多晶硅层，得到底部横向缝隙；经由底部横向缝隙去除存储叠层的一部分以暴露出沟道层的一部分；形成底部多晶硅层于底部横向缝隙中；形成阵列公共源极结构于栅线缝隙中。本发明先形成栅极导电层，再进行底部牺牲层和此处存储叠层的去除，可以极大改善栅线缝隙侧壁保护层的工艺窗口，显著减小侧壁被湿法刻蚀损伤所造成的不利影响，此外，栅极导电层形成过程中沉积的粘附层有利于对底部拐角的保护。

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