一种三维存储器及其制备方法

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专利状态

一种三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-02-01

申请公布

2021-05-07

授权

2023-08-08

预估到期

2039-02-01

专利基础信息

申请号	CN202110152378.3	申请日	2019-02-01
申请公布号	CN112768466A	申请公布日	2021-05-07
授权公布号	CN112768466B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2021-05-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20190201
2021-05-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，所述方法包括以下步骤：提供叠层结构；形成垂直穿过所述叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；去除所述叠层结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成绝缘的结构；在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属，形成所述选择管栅极；基于所述选择管栅极、所述绝缘的结构以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管；其中，所述选择管栅极和所述沟道层之间不包括所述存储叠层的存储层。

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