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专利状态
掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法
有效
专利申请进度
申请
2021-02-26
申请公布
2021-06-22
授权
2023-07-25
预估到期
2041-02-26
专利基础信息
申请号 CN202110219733.4 申请日 2021-02-26
申请公布号 CN113009772A 申请公布日 2021-06-22
授权公布号 CN113009772B 授权公告日 2023-07-25
分类号 G03F1/00;G03F1/70;H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27
分类 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-07-25
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-09
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G03F1/00;申请日:20210226
  • 2021-06-22
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本公开实施例公开了一种掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法。所述掩膜版应用于三维存储器中虚拟沟道孔的制作,包括:掩膜图案阵列,包括:沿第一方向并列设置的多个第一子图案;其中,所述第一子图案位于所述掩膜图案阵列最外侧;每个所述第一子图案包括:第一凹部;其中,所述第一凹部沿所述第一子图案边缘向所述第一子图案中心凹陷;所述第一凹部的开口朝向所述掩膜图案阵列的外侧;位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的所述第一凹部的开口朝向相同。