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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-10-25

申请公布

2020-03-27

授权

2023-09-05

预估到期

2039-10-25

专利基础信息

申请号	CN201911022008.7	申请日	2019-10-25
申请公布号	CN110931500A	申请公布日	2020-03-27
授权公布号	CN110931500B	授权公告日	2023-09-05
分类号	H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-09-05

授权

状态信息

授权
2020-04-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20191025
2020-03-27

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法。方法包括对半导体衬底的第一表面图案化，以形成多个凸起结构；在所述第一表面上方形成第一绝缘层和第一牺牲层，所述半导体衬底与所述第一牺牲层被所述第一绝缘层隔离；形成外延层，分别覆盖每个所述凸起结构的上表面；对所述外延层和所述第一牺牲层的上表面进行平坦化处理，以获得暴露所述外延层的工艺平面；以及在所述工艺平面上形成栅叠层结构以及贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，所述多个沟道柱的底端经所述外延层与所述半导体衬底中的公共源区电连接。本申请中3D存储器件先形成外延层，并进行平坦化处理，获得了高度一致的外延层，避免了后形成外延层时无法保证外延层高度一致而导致的漏电等问题，提高了器件的良率和可靠性。

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