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专利状态
三维存储器及制备三维存储器的方法
有效
专利申请进度
申请
2021-10-12
申请公布
2021-12-24
授权
2023-12-12
预估到期
2041-10-12
专利基础信息
申请号
CN202111186613.5
申请日
2021-10-12
申请公布号
CN113838857A
申请公布日
2021-12-24
授权公布号
CN113838857B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H01L21/268
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2021-12-24
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了三维存储器及制备三维存储器的方法,该方法包括:在衬底上形成由绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构;形成贯穿堆叠结构的沟道孔,并且沟道孔延伸至衬底内以形成底部沟槽,底部沟槽的内表面存在缺陷层;在还原性气体的气氛下,利用激光照射底部沟槽的内表面,使得底部沟槽内的缺陷层熔融并再结晶;以及在底部沟槽内,在再结晶的层上进行外延生长以形成外延层。根据该制备方法,可避免传统工艺中去除氧化层和缺陷层导致沟道孔的关键尺寸增加;并且由于激光仅作用于有限深度的原子层,衬底并不因激光产生的热量而明显弯曲,因此,减小了还原性气体高温退火工艺对衬底弯曲度的贡献。此外,还可以简化工艺,显著地降低成本。
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