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专利状态
界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置
有效
专利申请进度
申请
2018-09-11
申请公布
2018-11-30
授权
2023-12-08
预估到期
2038-09-11
专利基础信息
申请号
CN201811056823.0
申请日
2018-09-11
申请公布号
CN108922857A
申请公布日
2018-11-30
授权公布号
CN108922857B
授权公告日
2023-12-08
分类号
H01L21/66
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-12-08
授权
状态信息
授权
2018-12-25
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/66;申请日:20180911
2018-11-30
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括:衬底;栅介质层,位于所述衬底表面;栅极层,包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层,所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本发明能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。
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