三维存储器结构及其制备方法

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专利状态

三维存储器结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-14

申请公布

2021-04-06

授权

2023-11-03

预估到期

2040-12-14

专利基础信息

申请号	CN202011466325.0	申请日	2020-12-14
申请公布号	CN112614849A	申请公布日	2021-04-06
授权公布号	CN112614849B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2021-04-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20201214
2021-04-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底；在核心区具有凹槽；在凹槽中形成牺牲层和第一半导体层；在半导体衬底和第一半导体层上方形成堆叠结构，并形成沟道结构；形成贯穿堆叠结构的栅线隙沟槽，其在核心区的部分贯穿堆叠结构至牺牲层；去除牺牲层和隔离介质层，并填充第二半导体层；在栅线隙沟槽中形成栅线隙结构。本发明通过在核心区形成具有牺牲层、隔离介质层和第一半导体层的凹槽，在堆叠结构的栅线隙沟槽刻蚀过程中平衡核心区与台阶区的刻蚀速率差异，防止因核心区的刻蚀速率过快而导致的刻蚀损伤缺陷，提升三维存储器的性能和良率。

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