混合晶圆键合方法及其结构

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专利状态

混合晶圆键合方法及其结构

有效

专利申请进度

申请

2020-02-17

申请公布

2021-06-08

授权

2024-03-15

预估到期

2040-02-17

专利基础信息

申请号	CN202110280126.9	申请日	2020-02-17
申请公布号	CN112928018A	申请公布日	2021-06-08
授权公布号	CN112928018B	授权公告日	2024-03-15
分类号	H01L21/18;H01L23/48;H01L23/535
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-03-15

授权

状态信息

授权
2021-06-08

公布

状态信息

公布

摘要

一种混合晶圆键合方法，包括：提供第一半导体结构以及提供第二半导体结构。第一半导体结构包括：第一衬底、第一电介质和第一通孔结构。第一通孔结构包括：第一接触通孔和在第一接触通孔中掺杂的第一金属杂质。第二半导体结构包括：第二衬底、第二电介质层和第二通孔结构。第二通孔结构包括：第二接触通孔和在第二接触通孔中掺杂的第二金属杂质。方法还包括：使第一半导体结构与第二半导体结构键合，以及通过合金化工艺来形成自阻隔层。自阻隔层是由与第一金属杂质和第二金属杂质相对应的多组分氧化物形成的。

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