3D存储器件及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-15

申请公布

2020-05-29

授权

2023-10-17

预估到期

2040-01-15

专利基础信息

申请号	CN202010042708.9	申请日	2020-01-15
申请公布号	CN111211129A	申请公布日	2020-05-29
授权公布号	CN111211129B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2020-06-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11524；申请日:20200115
2020-05-29

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法，包括衬底；位于所述衬底上方的第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；贯穿所述第一栅叠层结构和第二栅叠层结构的多个沟道柱；以及位于栅线缝隙中的源极导电通道，所述源极导电通道包括贯穿所述第一栅叠层结构的第一导电通道和贯穿所述第二栅叠层结构的第二导电通道，所述第一导电通道在沿所述衬底表面的方向上不连续，所述第二导电通在沿所述衬底表面的方向上连续且与所述第一导电通道连接。本申请的3D存储器件的源极导电通道中不连续的第一导电通道降低了底部受到的应力，防止了因应力过大导致的源极导电通道的倾斜和塌缩，提高了3D存储器件的良率和可靠性。

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