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专利状态
三维存储器件中的同轴阶梯结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-10-29
申请公布
2021-03-09
授权
2024-01-09
预估到期
2040-10-29
专利基础信息
申请号
CN202080003273.5
申请日
2020-10-29
申请公布号
CN112470275A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112470275B
授权公告日
2024-01-09
分类号
H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-01-09
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11519;申请日:20201029
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
公开了具有同轴阶梯结构的3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和位于存储阵列结构中间的同轴阶梯结构。同轴阶梯结构包括在平面图中的径向方向上的多个同轴区。多个同轴区中的每个同轴区包括在平面图中的切线方向上的多个阶梯。
更多专利
1
三维存储器及其制备方法
2
一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法
3
存储器器件及其制造方法
4
改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置
5
3D存储器件及其制造方法
6
半导体器件的测量方法、装置及存储介质
7
一种半导体器件
8
三维存储器件中的同轴阶梯结构及其形成方法
9
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
10
三维存储器的制作方法及三维存储器
11
3D存储器件及其制造方法
12
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
13
用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法
14
半导体器件、系统及其形成方法
15
半导体结构及其制备方法
16
制备和分析薄膜的方法
17
三维存储器及其制备方法
18
半导体结构及其形成方法
19
一种擦除方法、装置及计算机可读存储介质
20
三维存储器器件和用于形成其的方法
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