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专利状态
三维存储器件中的同轴阶梯结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-10-29
申请公布
2021-03-09
授权
2024-01-09
预估到期
2040-10-29
专利基础信息
申请号 CN202080003273.5 申请日 2020-10-29
申请公布号 CN112470275A 申请公布日 2021-03-09
授权公布号 CN112470275B 授权公告日 2024-01-09
分类号 H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2024-01-09
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-03-26
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11519;申请日:20201029
  • 2021-03-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了具有同轴阶梯结构的3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和位于存储阵列结构中间的同轴阶梯结构。同轴阶梯结构包括在平面图中的径向方向上的多个同轴区。多个同轴区中的每个同轴区包括在平面图中的切线方向上的多个阶梯。