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专利状态
三维存储器件中的同轴阶梯结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-10-29
申请公布
2021-03-09
授权
2024-01-09
预估到期
2040-10-29
专利基础信息
申请号
CN202080003273.5
申请日
2020-10-29
申请公布号
CN112470275A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112470275B
授权公告日
2024-01-09
分类号
H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-01-09
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11519;申请日:20201029
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
公开了具有同轴阶梯结构的3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和位于存储阵列结构中间的同轴阶梯结构。同轴阶梯结构包括在平面图中的径向方向上的多个同轴区。多个同轴区中的每个同轴区包括在平面图中的切线方向上的多个阶梯。
更多专利
1
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
2
存储结构、三维存储器及其制造方法
3
形成三维存储器的方法以及三维存储器
4
半导体器件、系统及其形成方法
5
三维存储器及其制作方法
6
3D存储器件及其制造方法
7
多堆叠三维存储器件以及其形成方法
8
三维存储器及制备三维存储器的方法
9
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
10
存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质
11
高压器件与半导体器件
12
一种膜层生长方法及设备
13
三维存储器件及其形成方法
14
沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统
15
切割方法
16
存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿
17
三维存储器及其制备方法
18
一种相变存储器件及其制造方法、操作方法
19
用于多管芯操作的模拟峰值功率管理
20
3D存储器件及其制造方法
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