三维存储器的制作方法及三维存储器

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专利状态

三维存储器的制作方法及三维存储器

有效

专利申请进度

申请

2020-07-09

申请公布

2021-12-24

授权

2023-09-05

预估到期

2040-07-09

专利基础信息

申请号	CN202111106900.0	申请日	2020-07-09
申请公布号	CN113838863A	申请公布日	2021-12-24
授权公布号	CN113838863B	授权公告日	2023-09-05
分类号	H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/50;H10B41/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-05

授权

状态信息

授权
2022-06-07

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L27/1157；变更事项:发明人；变更前:徐伟杨星梅王健舻吴继君黄攀周文斌；变更后:徐伟杨星梅王健舻吴继君黄攀周文斌霍宗亮
2022-01-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200709
2021-12-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题；其在衬底的背面形成与沟道结构相对的第一通孔，以第一通孔为刻蚀通道对沟道结构进行刻蚀，以使沟道层朝向衬底的一端凸出所述功能层；在第一通孔内形成与沟道结构接触的半导体柱塞，从而沟道层通过半导体柱塞与衬底接触并形成电连接。本发明提供的三维存储器的制作方法及三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与第一沟道孔连接处的功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。

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