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专利状态
三维存储器
有效
专利申请进度
申请
2021-08-09
申请公布
2021-11-19
授权
2023-10-24
预估到期
2041-08-09
专利基础信息
申请号
CN202110909609.0
申请日
2021-08-09
申请公布号
CN113675204A
申请公布日
2021-11-19
授权公布号
CN113675204B
授权公告日
2023-10-24
分类号
H10B41/30;H10B41/40;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/40;H10B43/27
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-24
授权
状态信息
授权
2021-11-19
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种三维存储器,该三维存储器包括外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括第一外围结构和第二外围结构;阵列晶圆包括衬底以及位于衬底之上的待测试结构和多个互连部,其中,衬底中包括第一阱区和第二阱区,待测试结构包括第一连接端和第二连接端,多个互连部包括:第一互连部,将第一外围结构与第一阱区电连接;第二互连部,将第一外围结构与待测试结构的第一连接端电连接;第三互连部,将第二外围结构与第二阱区电连接;以及第四互连部,将第二外围结构与待测试结构的第二连接端电连接。
更多专利
1
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
2
检测件与芯片的检测方法
3
3D存储器件及其制造方法
4
用于存储器的数据保护方法及其存储装置
5
叠加式主板固定装置以及主机组件
6
存储器装置的阶梯结构
7
三维存储器及其制备方法、及电子设备
8
测试样品及其制备方法
9
晶圆翘曲度测量装置及方法
10
3D存储器件及其制造方法
11
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
12
半导体结构与其制作工艺
13
测量模型的控制方法和控制系统及计算机可读介质
14
切割方法
15
一种半导体器件的制备方法
16
半导体工艺以及半导体结构
17
一种闪存器的数据写入方法及闪存器
18
两步L形选择性外延生长
19
多堆叠三维存储器件以及其形成方法
20
一种三维存储器及其制备方法
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