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专利状态
三维存储器
有效
专利申请进度
申请
2021-08-09
申请公布
2021-11-19
授权
2023-10-24
预估到期
2041-08-09
专利基础信息
申请号
CN202110909609.0
申请日
2021-08-09
申请公布号
CN113675204A
申请公布日
2021-11-19
授权公布号
CN113675204B
授权公告日
2023-10-24
分类号
H10B41/30;H10B41/40;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/40;H10B43/27
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-24
授权
状态信息
授权
2021-11-19
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种三维存储器,该三维存储器包括外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括第一外围结构和第二外围结构;阵列晶圆包括衬底以及位于衬底之上的待测试结构和多个互连部,其中,衬底中包括第一阱区和第二阱区,待测试结构包括第一连接端和第二连接端,多个互连部包括:第一互连部,将第一外围结构与第一阱区电连接;第二互连部,将第一外围结构与待测试结构的第一连接端电连接;第三互连部,将第二外围结构与第二阱区电连接;以及第四互连部,将第二外围结构与待测试结构的第二连接端电连接。
更多专利
1
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
2
三维存储器及其制造方法
3
沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统
4
半导体结构与其制作工艺
5
存储结构、三维存储器及其制造方法
6
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
7
半导体器件的量测方法
8
存储器件及其擦除和验证方法
9
混合晶圆键合方法及其结构
10
用于存储器系统的功率管理
11
具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法
12
三维存储器结构及其制备方法
13
半导体结构及其制备方法
14
具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程
15
双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法
16
半导体工艺以及半导体结构
17
三维存储器及其制造方法
18
三维存储器的制造方法
19
3D存储器件及其制造方法
20
3D存储器件及其制造方法
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