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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-08

申请公布

2020-05-26

授权

2023-10-17

预估到期

2040-01-08

专利基础信息

申请号	CN202010018346.X	申请日	2020-01-08
申请公布号	CN111199976A	申请公布日	2020-05-26
授权公布号	CN111199976B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H10B43/35;H10B43/27;H01L21/3105
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2020-06-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/115；申请日:20200108
2020-05-26

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件的制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述第一叠层结构的沟道孔，所述沟道孔延伸至所述衬底中；在所述沟道孔的底部形成外延层；形成覆盖所述沟道孔的侧壁以及所述外延层的顶表面上的功能层和所述保护层，其中，所述保护层为多晶硅层；去除部分的所述功能层和所述保护层以形成开口以暴露出所述外延层的表面；在所述沟道孔的侧壁上形成沟道结构。本申请采用多晶硅作为保护层，提高氢氧化铵的刻蚀速率，减少刻蚀时间，可以防止外延层的过多损耗，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。

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