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专利状态
半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2021-09-06
申请公布
2021-12-07
授权
2023-12-05
预估到期
2041-09-06
专利基础信息
申请号 CN202111046538.2 申请日 2021-09-06
申请公布号 CN113764355A 申请公布日 2021-12-07
授权公布号 CN113764355B 授权公告日 2023-12-05
分类号 H01L23/00;H01L23/485;H10B80/00;H01L23/488
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-12-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-12-24
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/00;申请日:20210906
  • 2021-12-07
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种半导体结构。该半导体结构包括:第一芯片,所述第一芯片的顶部包括第一绝缘层、多个贯穿所述第一绝缘层的第一触点以及位于多个所述第一触点外侧的第一隔离墙;以及第二芯片,所述第二芯片的底部包括第二绝缘层、多个贯穿所述第二绝缘层的第二触点以及位于多个所述第二触点外侧的第二隔离墙,其中,所述第二芯片设置于所述第一芯片上,且所述第一触点与所述第二触点电连接,以及所述第一隔离墙与所述第二隔离墙键合。