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专利状态
半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2021-09-06
申请公布
2021-12-07
授权
2023-12-05
预估到期
2041-09-06
专利基础信息
申请号
CN202111046538.2
申请日
2021-09-06
申请公布号
CN113764355A
申请公布日
2021-12-07
授权公布号
CN113764355B
授权公告日
2023-12-05
分类号
H01L23/00;H01L23/485;H10B80/00;H01L23/488
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-05
授权
状态信息
授权
2021-12-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/00;申请日:20210906
2021-12-07
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种半导体结构。该半导体结构包括:第一芯片,所述第一芯片的顶部包括第一绝缘层、多个贯穿所述第一绝缘层的第一触点以及位于多个所述第一触点外侧的第一隔离墙;以及第二芯片,所述第二芯片的底部包括第二绝缘层、多个贯穿所述第二绝缘层的第二触点以及位于多个所述第二触点外侧的第二隔离墙,其中,所述第二芯片设置于所述第一芯片上,且所述第一触点与所述第二触点电连接,以及所述第一隔离墙与所述第二隔离墙键合。
更多专利
1
半导体结构及其制备方法
2
3D存储器件及其制造方法
3
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
4
测试方法和测试系统
5
一种3DNAND存储器及其制造方法
6
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7
三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备
8
半导体结构及其形成方法
9
三维存储器的制造方法及三维存储器
10
半导体器件及用于形成半导体器件的方法
11
半导体结构
12
芯片封装结构及其制备方法
13
半导体器件的量测方法
14
两步L形选择性外延生长
15
多堆叠三维存储器件以及其形成方法
16
半导体器件的制造方法
17
透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法
18
晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
19
三维存储器器件和用于形成其的方法
20
一种碳薄膜制作方法和设备
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