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专利状态
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-09-11
申请公布
2021-04-06
授权
2023-08-08
预估到期
2039-09-11
专利基础信息
申请号 CN202011488127.4 申请日 2019-09-11
申请公布号 CN112614831A 申请公布日 2021-04-06
授权公布号 CN112614831B 授权公告日 2023-08-08
分类号 H10B80/00;H01L27/10;H01L23/52;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-04-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L25/18;申请日:20190911
  • 2021-04-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了半导体器件的实施例及其制造方法。在示例中,半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面,以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。