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专利状态
半导体器件和集成电路
有效
专利申请进度
申请
2018-09-28
申请公布
2018-12-28
授权
2024-03-26
预估到期
2038-09-28
专利基础信息
申请号
CN201811139589.8
申请日
2018-09-28
申请公布号
CN109103261A
申请公布日
2018-12-28
授权公布号
CN109103261B
授权公告日
2024-03-26
分类号
H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2024-03-26
授权
状态信息
授权
2018-12-28
公布
状态信息
公布
摘要
本公开提供了半导体器件,包括:半导体衬底;栅极结构,位于半导体衬底之上;轻掺杂区,位于半导体衬底内且位于栅极结构两侧;以及源极结构和漏极结构,分别位于栅极结构两侧且位于轻掺杂区内,轻掺杂区的掺杂浓度小于源极结构、漏极结构的掺杂浓度,其中,轻掺杂区形成有点缺陷。基于此,本公开还提供了包括至少两个半导体器件的集成电路。本公开能够在不加大制造工艺的复杂程度和集成电路面积的同时提高半导体器件的击穿电压,能基于同一工艺制造出具有不同击穿电压的半导体器件且不影响开关速度等工作性能。
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半导体器件及其制作方法
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