闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备

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专利状态

闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备

有效

专利申请进度

申请

2021-11-30

申请公布

2022-04-05

授权

2023-07-25

预估到期

2041-11-30

专利基础信息

申请号	CN202111450966.1	申请日	2021-11-30
申请公布号	CN114281249A	申请公布日	2022-04-05
授权公布号	CN114281249B	授权公告日	2023-07-25
分类号	G06F3/06;G06F11/20
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-25

授权

状态信息

授权
2022-04-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；申请日:20211130
2022-04-05

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备，该方法包括：将至少一个预定空闪存块，也就是除闪存颗粒中分别位于最外侧的两个空闪存块之外的任意一个空闪存块的存储模式设置为SLC模式；将预定特定闪存块中存储的预定性能参数一一对应地转存至预定空闪存块中，将预定空闪存块，也就是闪存颗粒中的一个特定闪存块更新为特定闪存块，且使得预定特定闪存块更新为正常闪存块。本申请启用至少一个预定空闪存块，可以在相同的闪存颗粒大小下增加闪存块数量，从而有效的提高了存储密度，进而解决了现有技术中存储资源的浪费的问题。

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