半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

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专利状态

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

有效

专利申请进度

申请

2021-11-08

申请公布

2022-03-01

授权

2024-02-23

预估到期

2041-11-08

专利基础信息

申请号	CN202111311607.8	申请日	2021-11-08
申请公布号	CN114121665A	申请公布日	2022-03-01
授权公布号	CN114121665B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2022-03-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20211108
2022-03-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述半导体器件的制作方法包括：在基底的背面形成停止层，其中，所述基底的背面与所述基底的正面相对设置，所述基底的侧面分别与所述基底的正面和背面连接；在所述基底的正面、侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成栅极层；去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层，使所述基底正面的栅极层形成栅极。本发明实施例能够避免栅极层去除时基底背面被损坏，提高半导体器件的性能。

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