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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-21

申请公布

2018-10-02

授权

2023-12-19

预估到期

2038-06-21

专利基础信息

申请号	CN201810642462.1	申请日	2018-06-21
申请公布号	CN108615733A	申请公布日	2018-10-02
授权公布号	CN108615733B	授权公告日	2023-12-19
分类号	H10B43/35;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-12-19

授权

状态信息

授权
2018-10-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180621
2018-10-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，包括第一堆叠结构、贯穿第一堆叠结构的第一沟道孔结构，第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；在所述半导体层表面形成氧化层；在凹槽内形成位于氧化层表面的刻蚀停止层；在第一堆叠结构表面及刻蚀停止层表面形成第二堆叠结构；刻蚀第二堆叠结构形成贯穿第二堆叠结构的第二沟道孔；去除刻蚀停止层，暴露出氧化层；在第二沟道孔侧壁表面形成第二功能侧墙，并刻蚀部分氧化层，暴露出第二沟道孔底部的半导体层；在第二功能侧墙和暴露的半导体层表面形成第二沟道层。上述方法能够提高半导体层的质量，从而半导体结构的性能。

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