半导体器件及其制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-09-01

申请公布

2020-12-01

授权

2023-10-24

预估到期

2040-09-01

专利基础信息

申请号	CN202010904997.9	申请日	2020-09-01
申请公布号	CN112018121A	申请公布日	2020-12-01
授权公布号	CN112018121B	授权公告日	2023-10-24
分类号	H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20
分类
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-24

授权

状态信息

授权
2020-12-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括介质层，介质层上具有多个沟槽；在介质层上共形地形成第一材料层，第一材料层在对应沟槽内形成第一凹槽；形成覆盖第一凹槽底部的第二材料层；去除第一材料层的至少一部分以将对应第一凹槽顶部开口扩大形成第二凹槽；去除第二材料层以形成第三凹槽；以及形成填充多个第三凹槽的第三材料层。

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