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专利状态

存储器结构

有效

专利申请进度

申请

2018-09-19

申请公布

2018-12-18

授权

2023-09-12

预估到期

2038-09-19

专利基础信息

申请号	CN201811092463.X	申请日	2018-09-19
申请公布号	CN109037225A	申请公布日	2018-12-18
授权公布号	CN109037225B	授权公告日	2023-09-12
分类号	H10B43/20;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-09-12

授权

状态信息

授权
2019-01-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11551；申请日:20180919
2018-12-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。所述存储器的性能得到提高。

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