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专利状态
存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿
有效
专利申请进度
申请
2021-03-11
申请公布
2021-07-23
授权
2023-09-15
预估到期
2041-03-11
专利基础信息
申请号
CN202180000807.3
申请日
2021-03-11
申请公布号
CN113168879A
申请公布日
2021-07-23
授权公布号
CN113168879B
授权公告日
2023-09-15
分类号
G11C16/34;G11C16/26;G11C5/02
分类
信息存储;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-15
授权
状态信息
授权
2021-08-10
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C16/34;申请日:20210311
2021-07-23
公布
状态信息
公布
摘要
公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如,一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。
更多专利
1
具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法
2
半导体器件、系统及其形成方法
3
存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质
4
三维存储器及其制作方法
5
3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法
6
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7
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8
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9
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10
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11
三维存储器结构及其制备方法
12
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13
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14
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15
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16
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17
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19
电路板和电子设备
20
用于多管芯操作的动态峰值功率管理
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