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专利状态
三维存储器及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-13
申请公布
2020-05-29
授权
2023-12-12
预估到期
2040-01-13
专利基础信息
申请号
CN202010031318.1
申请日
2020-01-13
申请公布号
CN111211126A
申请公布日
2020-05-29
授权公布号
CN111211126B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2020-05-29
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括:依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件;所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面,提供了更大的存储空间和存储密度,并改善了三维存储器的结构稳定性;另一方面,有助于降低单个存储器件中台阶区域的高度,从而增强了三维存储器的结构稳定性。
更多专利
1
3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法
2
半导体器件的测量方法、装置及存储介质
3
存储器、存储系统及电子设备
4
三维存储器
5
具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
6
混合晶圆键合方法及其结构
7
用于NAND存储器操作的架构和方法
8
MOS晶体管及其制造方法与包含MOS晶体管的三维存储器
9
三维存储器及其制作方法
10
半导体器件的量测方法
11
沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统
12
用于多管芯操作的动态峰值功率管理
13
具有富氢半导体沟道的三维存储器件
14
一种3DNAND存储器件的制造方法
15
用于在半导体结构中形成阻挡层的方法
16
测试样品及其制备方法
17
一种半导体器件
18
三维存储器及其制备方法
19
三维存储装置及其形成方法
20
半导体器件的量测方法
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