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专利状态
三维存储器及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-13
申请公布
2020-05-29
授权
2023-12-12
预估到期
2040-01-13
专利基础信息
申请号 CN202010031318.1 申请日 2020-01-13
申请公布号 CN111211126A 申请公布日 2020-05-29
授权公布号 CN111211126B 授权公告日 2023-12-12
分类号 H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-12-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-05-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括:依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件;所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面,提供了更大的存储空间和存储密度,并改善了三维存储器的结构稳定性;另一方面,有助于降低单个存储器件中台阶区域的高度,从而增强了三维存储器的结构稳定性。