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专利状态
三维存储器及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-13
申请公布
2020-05-29
授权
2023-12-12
预估到期
2040-01-13
专利基础信息
申请号
CN202010031318.1
申请日
2020-01-13
申请公布号
CN111211126A
申请公布日
2020-05-29
授权公布号
CN111211126B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2020-05-29
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括:依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件;所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面,提供了更大的存储空间和存储密度,并改善了三维存储器的结构稳定性;另一方面,有助于降低单个存储器件中台阶区域的高度,从而增强了三维存储器的结构稳定性。
更多专利
1
一种相变存储器件及其制造方法、操作方法
2
3D存储器件及其制造方法
3
晶圆处理装置及方法
4
测试样品及其制备方法
5
制备和分析薄膜的方法
6
具有外延生长的半导体沟道的三维存储器件及其形成方法
7
一种晶圆的清洗方法及实现其的装置
8
具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程
9
电路板和电子设备
10
改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置
11
3D存储器件及其制造方法
12
三维存储器及其制备方法
13
3D存储器件及其制造方法
14
三维存储器件及用于形成其的方法
15
三维存储器的制作方法及三维存储器
16
具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件
17
一种3DNAND存储器及其制造方法
18
检测件与芯片的检测方法
19
3DNAND存储器件的结构及其形成方法
20
三维存储器的制造方法及三维存储器
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