三维存储器的制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-15

申请公布

2021-04-09

授权

2023-11-07

预估到期

2040-12-15

专利基础信息

申请号	CN202011480067.1	申请日	2020-12-15
申请公布号	CN112635485A	申请公布日	2021-04-09
授权公布号	CN112635485B	授权公告日	2023-11-07
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-07

授权

状态信息

授权
2021-04-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20201215
2021-04-09

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了三维存储器的制备方法，包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的堆栈结构、以及贯穿堆栈结构的NAND串，NAND串背离衬底的一侧具有凹槽。形成填充凹槽的第一插塞层、以及覆盖堆栈结构的第二插塞层。形成覆盖第二插塞层的第一保护层。去除部分第一保护层与部分堆栈结构以形成台阶结构。去除第一保护层。本申请在制备插塞层后，仍保留第二插塞层，随后在第二插塞层上形成第一保护层。在采用湿法蚀刻法去除第一保护层时，可避免第二插塞层与蚀刻液发生反应，防止第二插塞层被破坏。并且由于第二插塞层在湿法蚀刻时未被破坏，可进一步保护第二插塞层覆盖的三维存储器的结构，保证了三维存储器结构的完整性。

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